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SK 海力士技術(shù)社區(qū)

SK 海力士

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SK 海力士資訊

高通或?qū)⑽腥?nm代工驍龍 8 Elite 2，與 SK 海力士洽談內(nèi)存合作

據(jù)報(bào)道，高通 CEO 安蒙（Cristiano Amon）于2026 年 4 月 21 日抵達(dá)韓國，計(jì)劃陸續(xù)與三星電子、SK 海力士高管會面?！俄n經(jīng)》消息顯示，此行核心議題之一是與三星晶圓代工展開潛在合作。安蒙預(yù)計(jì)與三星...

高通三星 2026-04-21

SK海力士開始出貨業(yè)界首款321層QLC固態(tài)硬盤，4月向戴爾供貨

4月8日，SK海力士宣布已開始出貨其最新款cSSD PQC21——這是業(yè)內(nèi)首款采用321層QLC NAND閃存的產(chǎn)品。從4月起，SK海力士將開始向戴爾科技集團(tuán)批量出貨，同時穩(wěn)步拓展與其他全球領(lǐng)先客戶的合作。SK海力士表示...

海力士戴爾 2026-04-09

全球首款1c LPDDR6，來了

SK 海力士宣布，已成功開發(fā)基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術(shù)的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產(chǎn)品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗(yàn)證，預(yù)計(jì)今年上半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，并于下半年開始供貨。LPDD...

SK 海力士 LPDDR6 DRAM 2026-03-13

海力士推出超性能版LPDDR6內(nèi)存：較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%

海力士宣布成功研發(fā)首款 LPDDR6 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，超性能版LPDDR6內(nèi)存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達(dá) 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內(nèi)存架構(gòu)一...

海力士 LPDDR6 2026-03-11

人工智能驅(qū)動行業(yè)超級周期催生需求，韓國芯片巨頭大舉擴(kuò)招

在半導(dǎo)體行業(yè)迎來 “超級周期”、三星電子與 SK 海力士兩大企業(yè)創(chuàng)下營收紀(jì)錄的背景下，這兩家韓國芯片龍頭企業(yè)正大幅擴(kuò)大應(yīng)屆生招聘規(guī)模。隨著全球人工智能競賽推動半導(dǎo)體需求持續(xù)攀升，各大企業(yè)新產(chǎn)線建設(shè)穩(wěn)步推進(jìn)，芯片行業(yè)的用工...

人工智能超級周期 2026-03-03

SK海力士發(fā)布基于HBF的AI芯片架構(gòu)，能效比提升最高達(dá)2.69倍

SK海力士近日公布了一種以高帶寬閃存（High Bandwidth Flash, HBF）為核心的全新半導(dǎo)體架構(gòu)概念。HBF是一種將多層NAND閃存芯片堆疊而成的存儲技術(shù)。據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)新聞》（Hankyung）報(bào)道，該公...

海力士 AI 2026-02-12

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SK 海力士專欄

存儲漲價不停歇！AI吞噬產(chǎn)能，國產(chǎn)力量崛起，Venuchip啟銘芯筑牢供應(yīng)鏈防線

AI 狂潮下存儲變局：漲價風(fēng)暴不止，國產(chǎn)Venuchip啟銘芯突圍正當(dāng)時進(jìn)入 2026 年二季度，全球存儲芯片市場正經(jīng)歷一場由 AI 算力需求引爆的超級周期：DRAM 價格短暫休整后漲勢重啟，NAND Fla...

三星海力士 2026-04-13

三星海力士，決戰(zhàn)NAND

“SK海力士的弱點(diǎn)是固態(tài)硬盤（SSD）?！敝辽僭?020年之前，半導(dǎo)體行業(yè)都是如此。當(dāng)時，SK海力士在DRAM領(lǐng)域以20-30%的市場份額排名全球第二，在NAND閃存產(chǎn)品領(lǐng)域以10%的市場份額排名第三至第四。然而，它卻無...

海力士 2024-08-18

SK 海力士已向谷歌 Waymo 獨(dú)家供應(yīng)車規(guī)級 HBM2E 內(nèi)存

8 月 15 日消息，據(jù)韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道，SK 海力士副總裁 Kang Wook-Sung 昨日表示，該企業(yè)已向谷歌母公司 Alphabet 旗下自動駕駛企業(yè) Waymo ...

海力士 2024-08-15

SK海力士HBM3e良率已接近80%

5月23日消息，據(jù)英國《金融時報(bào)》報(bào)道，SK海力士高層Kwon Jae-soon近日向其透露，SK海力士的HBM3E良率接近80%，生產(chǎn)效率也明顯提升。相較標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品，HBM制造過程牽涉DRAM層間建立TSV硅通孔...

海力士 2024-06-08

SK海力士已量產(chǎn)HBM3E，并計(jì)劃2026年大規(guī)模量產(chǎn)HBM4

2月3日消息，據(jù)《韓國商報(bào)》報(bào)道，在近日的“SEMICON 韓國 2024”展會上，SK海力士副總裁Chun-hwan Kim透露，該公司HBM3E內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，并計(jì)劃在 2026 年開始大規(guī)模生產(chǎn) HBM4。Chun-...

海力士 2024-02-16

鎧俠與西部數(shù)據(jù)合并案重啟？貝恩資本正與SK海力士進(jìn)行交涉

1月29日消息，據(jù)日本共同通信社的最新報(bào)道，去年10月因間接出資的股東SK海力士反對而被迫中止的鎧俠和西部數(shù)據(jù)之間的并購案或?qū)⒅貑?，鎧俠大股東貝恩資本（Bain Capital）正和SK海力士進(jìn)行交涉。報(bào)道稱，鎧俠已在臺...

海力士 2024-02-05

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SK 海力士資料

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